パナソニック電工、機器の小型化に貢献するＰｈｏｔｏＭＯＳリレー「ＶＳＳＯＰタイプ」を発売

実装面積４．６ｍｍ２を実現
機器の小型化に貢献するＰｈｏｔｏＭＯＳリレー「ＶＳＳＯＰタイプ」を新発売



　＊製品画像は添付の関連資料を参照

　パナソニック電工株式会社は、プリント配線板への部品実装面積のさらなる縮小化へのニーズを実現したＰｈｏｔｏＭＯＳリレー（※１）「ＶＳＳＯＰタイプ」を、２０１１年５月１日より発売開始します。
　既発売の「ＳＳＯＰタイプ（実装面積：１１．８ｍｍ２）」「ＳＯＮタイプ（実装面積：６．５ｍｍ２）」に加え、小型半導体リレーのラインナップを強化しました。

　電子機器の小型化・高機能化に伴い、リレーをはじめとする電子部品には、実装面積の低減や、さらなる電気的特性の良化が求められます。
　今回、発売する新製品ＰｈｏｔｏＭＯＳリレー「ＶＳＳＯＰタイプ」は、当社のＰｈｏｔｏＭＯＳリレーの製品ラインナップの中で最小の実装面積４．６ｍｍ２を実現。高密度実装が求められる計測機器などにおける、機器設計の自由度を高めます。また、構造改良により、「ＳＳＯＰタイプ」「ＳＯＮタイプ」と比較して高周波の通過特性が向上しました。

　当社は、今後もＰｈｏｔｏＭＯＳリレーの商品群の拡充により、小型化が進む通信機器や高密度実装が求められる各種検査装置など、さまざまな顧客ニーズに対応していきます。


製品名：ＰｈｏｔｏＭＯＳリレー「ＲＦ　Ｃ×Ｒ１０　ＶＳＳＯＰタイプ」
サイズ（ｍｍ）：長さ　２．１ｍｍ×幅　２．２ｍｍ×高さ　２．９ｍｍ
発売日：２０１１年５月１日
希望小売価格：オープン価格
販売目標：１０万個／月（２０１１年度）


■主な特長
　（１）実装面積４．６ｍｍ２（長さ　２．１ｍｍ×幅　２．２ｍｍ）を実現
　（２）高周波特性：
　　　　インサーションロス　５０Ω、〜１０ＧＨｚにて３ｄＢ以内
　　　　ＥＲＴ（※２）３０ｐｓ（平均）　従来品比（ＳＯＮタイプ）約４０％良化
　（３）電気的特性：
　　　　低Ｃ×Ｒ、オン抵抗０．８Ω（平均）、出力端子間容量１４ｐＦ（平均）

　※１：入力側にＬＥＤ、出力側に光電素子とＭＯＳＦＥＴを採用し、光によって信号の伝達を行う半導体リレー
　※２：Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ　Ｒｉｓｅ　Ｔｉｍｅの略で、高周波の通過特性の指標として用いられ、値が小さいほど信号のひずみが抑えられて良いとされる


■特長

　＊添付の関連資料を参照



以上