キヤノンＭＪ、米社製のＥＵＶ露光計測装置を販売開始

ＥＵＶ露光計測装置の国内独占販売権を取得



　キヤノンマーケティングジャパン株式会社（社長：川崎正己、以下キヤノンＭＪ）は、このほど米国ＥＵＶ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社（社長：Ｒｕｐｅｒｔ　Ｃ．Ｐｅｒｅｒａ）との間で、同社製のＥＵＶ露光計測装置の日本国内における独占販売契約を締結し、４月１３日より販売を開始します。


＊以下の製品画像は添付の関連資料を参照
　・ＥＵＶマスク全自動反射率計
　・ＥＵＶレジストアウトガスモニター


　１３．５ナノ（ナノは１０億分の１）メートルという極めて短い波長領域の光を用いたＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極紫外線）露光は、回路線幅２２ナノメートル世代以降の超微細化を実現する露光技術として現在開発されています。ＥＵＶ露光は波長が１３．５ナノメートルと極めて短いため、レンズを用いた従来の屈折光学系ではなく、多層膜ミラーで構成される反射光学系を利用します。
　ＥＵＶ露光を量産工程で実用化するには、フォトマスク（原板）の欠陥・精度、フォトレジスト（感光剤）の解像度・感度、露光装置光源の出力など３つの大きな課題があり、本装置はこうした市場のニーズに応えるものです。


■ＥＵＶマスク全自動反射率計の特長
　“ＥＵＶマスク全自動反射率計　ＬＰＲ１０１６”は、ＥＵＶ露光用フォトマスクの反射率を自動測定する装置です。材料を何層にも重ねたＥＵＶ露光用フォトマスクを、波長精度０．００１ナノメートル、反射率精度０．３％以下という高い精度で検査することができます。この分野では世界で初めて商用機として市販された装置で、最先端半導体の研究機関やデバイスメーカーの研究所に導入されています。


■ＥＵＶレジストアウトガスモニターの特長
　“ＥＵＶレジストアウトガスモニター　ＥＵＶ−ＰＥＲ１３１４”は、ＥＵＶ露光用フォトレジストのアウトガスを分析する装置です。ウエーハ表面に塗布されたフォトレジストにＥＵＶ光を照射すると、光化学反応により微量のガスが発生します。ＥＵＶ露光はウエーハとミラー光学系が同じ真空チャンバー内にあるため、このガスがミラーの表面を汚染したり粒子を付着させたりして、露光に悪影響を与える可能性があります。ＥＵＶ光をフォトレジストに照射し発生したアウトガスの成分をガス分析装置で分析したり、サンプルプレートにアウトガスを付着させ表面の汚染を観察することができます。


・製品名：ＥＵＶマスク全自動反射率計　ＬＰＲ１０１６
・価格（税別）：３憶５千万円（※）
・販売開始時期：４月１３日

・製品名：ＥＵＶレジストアウトガスモニター　ＥＵＶ−ＰＥＲ１３１４
・価格（税別）：２憶５千万円（※）
・販売開始時期：４月１３日

※装置構成により価格は変動します。


●一般の方のお問い合わせ先
　キヤノンマーケティングジャパン株式会社
　プロセス機器営業部販売第二課
　０３−３７４０−３３９０（直通）

●キヤノン　半導体製造装置　ホームページ：http://canon.jp/semiconductor


＜ＥＵＶマスク全自動反射率計の主な仕様＞
　波長精度（１σ）：０．００１ｎｍ（０．００８％）
　反射率精度（１σ）：０．３％　ａｂｓｏｌｕｔｅ
　反射率カーブ取得時間：３０秒以下
　波長レンジ：１０〜１６ｎｍ
　レーザーターゲット寿命：約７０００反射率カーブ取得
　測定エリア：１５２ｍｍ×１５２ｍｍ　ｍａｓｋｂｌａｎｋｓ（位置精度０．１ｍｍ）
　サブストレート厚さ：６．２５ｍｍ以上
　標準反射率測定角度：８４°
　装置内清浄度：Ｃｌａｓｓ　１　ｃｌｅａｎｒｏｏｍ　ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ
　測定スポット：約１ｍｍ×１ｍｍ
　特許：ＵＳ　６，７３８，１３５　Ｂ１

＜ＥＵＶレジストアウトガスモニターの主な仕様＞
　ＥＵＶ光源：Ｅｎｅｒｇｅｔｉｑ　ＥＱ−１０
　アウトガス分析：ｗｉｔｎｅｓｓ　ｐｌａｔｅ　ａｎｄ／ｏｒ　ＲＧＡ（Ｑ−Ｍａｓｓ）
　装置構成：ウエーハ　ｏｒ　マスク上のレジストへ　ＥＵＶ光照射
　　　　　　　ＥＵＶ光フィルターＺｒ　ｆｉｌｔｅｒ寿命延長対策内蔵
　　　　　　　ＵＨＶ（５×１０ｍｂａｒ）測定チャンバー
　　　　　　　真空中１５０ｍｍトラベルｘ−ｙ　スキャンニングステージ
　　　　　　　（２００ｍｍウエーハａｎｄ６"×６"標準ＥＵＶレチクル対応ステージ）
　　　　　　　Ｅｖａｃｔｒｏｎプラズマクリナー内蔵
　　　　　　　装置コントロール、データ分析ユーザーインターフェイス
　　　　　　　ＬａｂＶｉｅｗに基づく
　出力密度：（レジスト上）−５ｍＷ／ｃｍ２
　　　　　　　（ｗｉｔｎｅｓｓ　ｐｌａｔｅ上）−８０ｍＷ／ｃｍ２
　ドーズユニフォーミティ：５％以下

＜ＥＵＶ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社の概要＞
　社名：ＥＵＶ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
　本社所在地：８３７　Ａｒｎｏｌｄ　Ｄｒｉｖｅ，Ｓｕｉｔｅ　４００　Ｍａｒｔｉｎｅｚ，ＣＡ　９４５５３
　社長：Ｒｕｐｅｒｔ　Ｃ．Ｃ．Ｐｅｒｅｒａ、Ｐｈ．Ｄ
　会社設立：２０００年（活動は１９９７年から）
　事業内容：ＥＵＶ露光測定装置開発、製造および技術サービスの提供
　主製品：ＥＵＶマスク全自動反射率計、ＥＵＶレジストアウトガスモニター
　ＵＲＬ：http://www.EUVL.com