TANAKAホールディングス、EEJAが半導体ウェハーカップ式超小型めっき実験装置を販売

日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース、量産機同様のめっき形成が
可能な半導体ウェハーカップ式超小型めっき実験装置を７月１５日から販売開始
実験コスト低減と開発期間の短縮、量産ラインでの早期課題解決に役立ちます


　TANAKAホールディングス株式会社（本社：東京都千代田区、代表取締役社長執行役員：田苗明）は、田中貴金属グループのめっき事業を展開する日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース株式会社（本社：神奈川県平塚市、代表取締役社長執行役員：田中浩一朗、以下：EEJA）が、量産機同様の皮膜を実現する半導体ウェハー用カップ式（※１）超小型めっき実験装置「RAD−Plater（ラドプレーター）」を開発し、７月１５日から販売することを発表します。

　「RAD−Plater」は、２〜８インチの半導体ウェハー製造用の超小型めっき実験装置です。幅８００mm、奥行７００mmと量産機と比較して小さく、一般的な設備の１００ボルト電圧、圧縮空気下のみで運用可能です。対応めっき液は金、銀、パラジウム、銅、ニッケルなどのほかに、合金、鉛フリータイプなど幅広く、めっき液量はディップ式の約半分である１０リットル以下に抑え、実験コストも低減しました。カップはEEJA製スターカップ（※２）を採用し、めっき膜厚の均一性や気泡除去性、また深いビア（※３）への埋め込み性に優れた、量産レベルのめっき品質を実現しました。更に、イオン供給量を増加させた事に伴う高い電流密度（※４）により、めっき時間が短縮されています。実験機でありながら、量産同等のめっきが行えることで、開発段階において歩留率の想定など、量産製造に向けた課題の早期対応が可能となるとともに、量産ラインへスムーズに展開できるのも特長です。なお、８インチウェハーに対応し使用めっき液量１０L以下でのカップ式による半導体ウェハー製造用めっき実験装置の販売は世界で初めてです。

　量産めっきラインを持つメーカーの開発部門の多くは、めっき液の実験を装置メーカーなどに委託して評価していましたが、「RAD−Plater」を購入し自社で実験を行うことで、開発時間を大幅に短縮できるようになります。また、これまで量産機を購入し自社で実験を行っていた顧客に対しても、量産機に比べ３分の１から４分の１の価格帯で「RAD−Plater」を提供できるため、大幅なコスト削減を実現します。EEJAは、メーカー研究開発試作部門や大学などの教育・研究機関、材料メーカーなどに対し「RAD−Plater」と合わせてめっき液をサンプル提供することで、量産時のめっき装置、およびめっき液の販売向上を図ります。EEJAは、２０１７年までに年間５億円の「RAD−Plater」売り上げを目指します。

　＊製品画像は添付の関連資料を参照


　（※１）カップ式
　　半導体ウェハー製造用装置の仕様の一つ。めっき液を噴流、撹拌することで皮膜を形成する方式。他に、被めっき素材を浸漬させるディップ式がある。現在のめっき加工プロセスにおいては、８インチ以下のウェハーはカップ式、１２インチ以上はディップ式の装置を採用する傾向にある。

　（※２）スターカップ
　　ウェハーのめっき面の液をランダムに攪拌することで、イオン供給の均一性が高まり、膜厚均一性が向上する。また、めっき部の穴に対して差圧が発生して液の入れ替わりが常時行われるため、気泡がめっき部内に留まらずに抜け、気泡除去性が高まる。

　（※３）ビア
　　半導体チップの小型化技術として、チップの上下層を金属電極で接続するために、ウェハーやガラス基板に開けた微細な導通孔のこと。最近は、ビアの穴径が１０マイクロメートルから２０マイクロメートル程度と小さくなっており、従来のめっきカップでは、ビアの内部へ金属をめっきする（埋める）ことが難しくなってきた。

　（※４）電流密度
　　従来の実験装置の０．４A／dm2から、１．６A／dm2に向上


　＊参考資料は添付の関連資料を参照