キヤノントッキ、電子デバイス向けスパッタリングシステム「RRシステム」を開発

電子デバイス向けスパッタリングシステム「RRシステム」を開発
膜厚均一性±２．１％と成膜速度２倍の高速化を同時に実現


　キヤノントッキ株式会社（本社：新潟県見附市新幸町１０−１）は、膜厚均一性を±２．１％へ向上させると同時に成膜速度を２倍に高速化する「RRシステム」を開発しました。

　・参考資料は添付の関連資料を参照

　　RRシステムの概要

　RR（Reactive　Rotary−cathode、通称　ダブルアール）システムは、従来のスパッタリング装置に複数の小型円筒カソード（※１）を配置し、反応性スパッタリング（※２）技術と融合させた独自の技術で、膜厚均一性の向上や高速成膜、そして高い材料使用効率を実現するシステムです。

　同システムを搭載したスパッタリング装置は、従来の円筒カソードと比較して膜厚均一性を±５．１％から±２．１％へ向上させるとともに、成膜速度を２倍まで高めることを実現しました。さらに、プレーナー型カソード（※３）と比較し、材料使用効率を４０％から８０％へ高めることで、トータルランニングコストの低減を可能としました。

　このRRシステムをスパッタリング装置「SPLシリーズ」や「SPSシリーズ」に搭載することで、用途が拡大する電子デバイス業界において、特にSAWデバイス（※４）やFBARデバイス（※５）、実装基板（※６）向けのスパッタリング装置として提案し、お客さまの生産性向上と電子デバイス業界の発展に貢献します。本システムを搭載した装置は、２０１５年９月に製品化することを目指しています。

　なお、これらの装置や技術については、２０１５年６月３日（水）から６月５日（金）まで東京ビッグサイトで行われる「JPCA　Show　２０１５」のキヤノントッキブースでもご覧いただけます。

　・イベント名：JPCA　Show　２０１５
　・日時：２０１５年６月３日（水）〜６月５日（金）
　・場所：東京ビッグサイト（東４ホール、キヤノントッキブース：４G−１４）


　※１　円筒カソード：スパッタリングのターゲット材を円筒形にしたカソード。
　※２　反応性スパッタリング：ターゲット材とプロセスガスを反応させるスパッタリング成膜法。
　※３　プレーナー型カソード：スパッタリングのターゲット材を平板形にしたカソード。
　※４　SAWデバイス：Surface　Acoustic　Wave（表面弾性波）デバイス。必要な周波数の電気信号を取り出し、不必要な周波数の電気信号をフィルタリングするデバイス。
　※５　FBARデバイス：Film　Bulk　Acoustic　Resonator（圧電薄膜共振子）デバイス。シリコンを利用し、送受信間隔が狭い部分に利用され、高周波対応に優れているといった特長があるデバイス。
　※６　実装基板：基板上に各種電子デバイスを搭載した回路基板。


●一般の方のお問い合わせ先：
　キヤノントッキ株式会社
　商品企画部
　０２５８−６１−４２３３（直通）
●キヤノントッキホームページ：
　http://www.canon-tokki.co.jp