ＪＳＲ、ＥＵＶ向けレジストで１０ナノメートル世代向けのＬＳパターン加工に成功

ＪＳＲ、ＥＵＶ向けレジストで、１０ナノメートル世代向けのＬＳ（ライン＆スペース）パターン加工成功

〜周辺多層材料も含む総合的な材料開発促進〜


　ＪＳＲ株式会社（社長：小柴満信）は、１０ナノメートル世代以降の半導体デバイス生産に向けて、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒａ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ：遠紫外線）リソグラフィ用の材料開発を進めています。今回、ＥＵＶ用フォトレジスト（感光性樹脂）と当社の塗布型ハードマスク材料（多層材料）の組み合わせによって、１０ナノメートル世代に向けたＥＵＶレジストとして現時点で必要とされている解像度や感度の性能が、トップクラスであることを確認しました。また、塗布型ハードマスクとの組み合わせでエッチング検討を行い、レジストパターンが、ハードマスクを介して基板へ転写され、良好なパターンを形成できることを確認しました。詳細は、２０１１年２月２７日から米国カリフォルニア州サンノゼ市で開催する半導体製造のリソグラフィ技術に関する国際会議「ＳＰＩＥ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　２０１１」で発表します。当社の発表日は、３月１日です。

　ＥＵＶリソグラフィ技術は、現在最先端デバイスの製造に使用されているＡｒＦエキシマレーザー光（波長：１９３ナノメートル）よりも一桁波長が短い１３．５ナノメートルのＥＵＶ光を用いることから、２０ナノメートル以下の超微細な加工を可能にする次世代技術として有望視されています。しかし、この世代では、パターンの微細化が更に進むため、フォトレジストの膜厚は５０ナノメートル程度と現在量産で適用されているＡｒＦフォトレジストの膜厚の半分以下となり、パターン転写工程での加工性の改良が課題の一つとなっています。
　これらに対応すべく、当社は、ＥＵＶ露光技術の実用化に向けて、フォトレジストのみならず、加工する際のサポート材料として有機及び無機の塗布型ハードマスク材料などの周辺材料の開発を進め、総合的な材料提案を進めてまいります。

　当社は、先端フォトレジスト、ダブルパターニング材料などのリソグラフィ材料のほか、感光性絶縁膜や厚膜レジストなどの高密度実装材料など、次世代半導体製造に必須である最先端半導体材料の総合的な開発を進め、高品質で高性能な製品を世界市場に供給しています。半導体業界は、スマートフォンやタブレット型ＰＣなどのデジタル機器の普及により、音楽、動画、写真などの大容量コンテンツの処理を実現するためのデバイスの高性能化や省電力化のニーズが高まり、今後も微細化が進行していくことが予想されます。こうした顧客の技術進化に対応すべく、当社は基盤事業である半導体材料事業をさらに拡充してまいります。