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東芝、15nmプロセスを用いた組込み式NAND型フラッシュメモリーを発売
世界最小クラスの組込み式NAND型フラッシュメモリの発売について
最先端の15nmプロセスのNAND型フラッシュメモリチップを使用
*製品画像は添付の関連資料を参照
当社は、スマートフォンやタブレット、ウエアラブル端末向けに、最先端の15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用した、世界最小クラス(注1)の組込み式NAND型フラッシュメモリ(e・MMCTM(注2))を製品化しました。16GBの製品を本日からサンプル出荷し、8GB、32GB、64GB、128GBの製品も今後順次サンプル出荷していく予定です。
新製品は、15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップとコントローラチップを一体化した制御機能付の組込み式NAND型フラッシュメモリです。最先端プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリチップを使用することにより、従来製品(注3)に比べてパッケージサイズ面積が約26%小型化(注4)しました。
NAND型フラッシュメモリチップの基本性能の向上やコントローラ処理の最適化などにより、読み出し・書き込み性能の向上を図っており、従来製品に比べて読み出し速度が最大約8%、書き込み速度が最大約20%高速化(注5)しました。
当社は、NAND型フラッシュメモリがスマートフォンやタブレットなどを中心に需要が増加傾向にあり、中長期的にも市場拡大が見込まれると考えています。今後も高性能で大容量のメモリ製品のラインアップを強化し市場におけるリーダシップを堅持していきます。
注1 2014年10月2日現在。当社調べ。128GBのモデルを除く。
注2 embedded MultiMediaCard。JEDECの規格に準拠した組込みメモリで、JEDEC Solid State Technology Associationの商標です。
注3 19nm第二世代プロセスを用いた高速クラスの組込み式NAND型フラッシュメモリ(e・MMCTM)。
注4 128GBのモデルを除く。
注5 読出し速度はSupreme 16GB、32GB、64GBの書き込み速度は8GBの従来製品との比較。
<新製品の概要>
*添付の関連資料を参照
注6 当社e・MMCTM製品のカテゴリで、Supremeはハイエンドクラス、Premiumはミドル・ローエンドクラスに適した製品群です。
<新製品の主な特長>
1.NAND型フラッシュメモリの制御機能を搭載
新製品は、NAND型フラッシュメモリの制御機能(書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアなど)を搭載しており、ユーザー側での開発負荷が軽減され、システム開発期間の短縮につながります。また、BKOPS制御、キャッシュバリア、キャッシュフラッシングレポート、ラージRPMBライトなどの新規機能(注7)に対応し、ユーザーの使い勝手を良くするよう配慮しています。
注7 BKOPS制御はバックグラウンドオペレーションをデバイスの待機時間に実行する機能、キャッシュバリアはキャッシュに入っているデータをメモリチップに書き込むタイミングを制御する機能、キャッシュフラッシングレポートはデバイスのデータ書き込み順番がFIFOであるかどうかを通知する機能、ラージRPMBライトはRPMB領域に書き込めるデータサイズを8kBに拡大する機能。
2.小型化と高速化を実現
11mm×10mmの小型FBGAパッケージを8GBから64GBまでの製品に採用しており、ウエアラブル端末や小型軽量化が求められるスマートフォンやタブレットへの搭載に適しています。読み出し・書き込み性能の向上を図っており、従来製品に比べて読み出し速度が最大約8%、書き込み速度が最大約20%高速化しました。
3.大容量データの記録が可能
128GBモデルでは、HD画質動画で約16.3時間、SD画質動画で約39.7時間、ワンセグでは約668時間の映像データ(注8)の記録が可能です。
注8 各平均ビットレートは、HD画質 約17Mbps、SD画質 約7Mbps、ワンセグ(QVGA)約416Kbpsで計算。
<新製品の主な仕様>
*添付の関連資料を参照
※本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際にご使用いただけるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、ご使用いただけるお客様の使用可能なメモリ容量(ユーザ領域)はそれぞれの製品仕様をご確認ください。(1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。)
※読み出し/書き込み速度は1MB/秒を1,000,000バイト/秒として計算しています。
■新製品についてのお客様からのお問い合わせ先:
メモリ営業推進統括部
TEL:03(3457)3355