ザインエレクトロニクス、１０Gbps高速通信用が可能な新しい情報伝送技術を開発

１０Gbps高速通信用情報伝送技術に開発成功のお知らせ


　当社は高速情報伝送用LSIなどアナログ回路技術を搭載したLSIや画像処理用LSI分野において世界市場で事業展開するミックスドシグナルLSI企業ですが、この度、１０Gbps（１秒当たり１００億ビット）の高速通信が可能な新しい情報伝送（インターフェース）の要素技術開発に成功しましたのでお知らせします。

１．１０Gbps高速インターフェース新技術の開発の経緯
　今日のビッグデータの活用やPCで用いられるインターフェースの高速化のトレンドを踏まえ、膨大なデータ伝送が必要な超高速のクラウドサーバ等におけるサーバ間伝送などの高速通信への可能性を拓くとともに、PC用途において８Gbpsから１０Gbpsの情報伝送が導入され始めたトレンドにも対応することができる技術を確立すべく開発を進めてまいりました。

２．１０Gbps高速インターフェース新技術の概要
　今回、開発に成功した新技術は、１３０nmのLSI製造プロセスを用いて１０Gbpsの速度を実現しており、低コストでの製造を可能とするとともに、今後微細なプロセスを選択する場合には、更なる高速化への道を拓くことを可能としました。
　この高速インターフェース回路は、当社が独自に開発したプリエンファシスとイコライザの技術に加えて、内部回路の高速化を実現するとともに、HBM　８kV以上のESD（注１）耐性の保持やEMI（注２）ノイズの原因となる放射の抑制にも成功しました。
　これらにより、従来の技術では、高速化とノイズ耐性を両立させることが難しかったのに対して、新技術は、バランスよく市場のニーズに応えられる回路技術を実現した点に特長があります。
　当社では、民生機器、事務機器、アミューズメントや産業機器、通信端末機器、車載機器などの分野で高速情報伝送技術の付加価値を搭載したインターフェース製品を量産適用してきましたが、本技術も適用することにより、お客様市場における、より進んだ高速インターフェースのニーズに応えていく方針です。本技術を搭載した第一弾新製品は、来年第３四半期にサンプル出荷する計画です。

３．今後の見通し
　本件により今期業績に与える影響は、既に発表済みの業績予想に織込み済みです。

　（注１）ESD：Electro−Static　Discharge（静電気放電）の略。ESDが電子機器に印加された場合、システムが破壊される場合がある。

　（注２）EMI：Electro−Magnetic　Interference（電磁障害）の略。電磁妨害によって引き起こされる装置、伝送チャネルまたはシステムの性能低下のこと。


　ご注意：本文中における各企業名、製品名等は、それぞれの所有者の商標あるいは登録商標です。