昭和電工、パワー半導体用のSiCエピウェハー６インチ品を販売

パワー半導体用SiCエピウェハー６インチ品を上市
−次世代インバーターの実用化・市場拡大に寄与−



　昭和電工株式会社（社長：市川　秀夫）は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハー（以下、エピウェハー）で、世界最大となる直径６インチ（１５０mm）品の量産化技術を確立しました。また、４インチ（１００mm）品においても低欠陥化を進め均一性を向上させた新グレード製品の開発を完了しました。両製品とも１０月から販売を開始します。

　当社は、SiCエピウェハーに関して従来から３インチ（７６．２mm）品および４インチ品の製造、販売を行ってきましたが、生産性の向上に効果のある次世代グレードの６インチ品の研究開発を進めてまいりました。年初からサンプル出荷を進めてきましたが、量産化技術が確立したため、１０月から製品仕様を設定し、製品として販売します。

　SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン（Si）製に比べ高温環境下で使用可能であり、高電圧・大電流に対する耐性を持ちます。また電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する次世代型パワー半導体として注目されています。特に、自動車・鉄道車両・産業機器・家電製品などさまざまな分野で用いられるインバーター（直流電力を交流電力に変換する装置）向けに大きな需要が期待されています。

　すでにデータセンターのサーバー電源や新エネルギーの分散型電源、地下鉄車両への搭載が始まっておりますが、６インチ品は実用化デバイスの低コスト化と１００A級の大きな電流容量のSiCデバイスの量産にも適しており、本製品の販売によって、電気自動車やハイブリッド車への採用も進むものと予想されます。

　当社は、今回の製品ラインナップの拡充に引き続き、更なる品質向上と生産能力増強に取り組みます。４インチ品換算での月産能力を、現在の１，５００枚から２０１４年前半には２，５００枚相当まで引き上げ、SiCパワー半導体の普及に寄与してまいります。


以上


〈ご参考〉６インチ品　SiCエピタキシャルウェハー

　※添付の関連資料「参考資料」を参照