日立化成、「そり」を低減できる「次世代半導体パッケージ基板用材料」を開発

次世代半導体パッケージ基板用材料を開発
−熱膨張係数２．８ｐｐｍ／℃を実現、さまざまな半導体パッケージ構造において「そり」を低減−



　日立化成工業株式会社（本社：東京、執行役社長：田中　一行　資本金：１５５億円、以下、日立化成）は、このたび、次世代半導体パッケージ基板用材料として、ハロゲンフリー、高Ｔｇ（＊１）、低熱膨張のＭＣＬ−Ｅ−７０５Ｇシリーズ、およびＭＣＬ−Ｅ−８００Ｇシリーズを開発し、銅張積層板のラインアップを拡充するとともに量産を開始しました。

　スマートフォンやタブレットＰＣに代表される電子機器の小型・薄型化の進展に伴い、半導体パッケージ基板に使用される基板用材料にも薄型化の要求が高まっています。また、半導体パッケージの実装時においては、チップと基板材料の熱膨張の差により生じる「そり」が大きな課題となっています。さらに、電子部品の実装工程においては、環境に配慮し鉛はんだを使わないプロセスが主流となった結果、リフロー温度が高くなり、使用される材料にも高耐熱特性が求められています。

　そこで日立化成は、これまで培ってきた樹脂の設計・配合技術を活かし、従来の高Ｔｇ材と比べて熱膨張係数（＊２）を約３０％〜７０％低減し、さまざまな半導体パッケージ構造において「そり」を低減することができる多層材料として、高弾性率のＭＣＬ−Ｅ−７０５Ｇシリーズ、低弾性率のＭＣＬ−Ｅ−８００Ｇシリーズをラインアップしました。特に、ＭＣＬ−Ｅ−７０５Ｇシリーズの７０５Ｇ（ＬＨ）、およびＭＣＬ−Ｅ−８００Ｇシリーズの８００Ｇ（Ｌ）では熱膨張係数２．８ｐｐｍ／℃を達成し、大幅な「そり」の低減が可能となります。

　両シリーズは、半導体パッケージ基板用材料としての幅広い使用が期待され、ＦＣ−ＢＧＡ、ＦＣ−ＣＳＰといったインターポーザ基板（＊３）やＰｏＰ（Ｐａｃｋａｇｅ　ｏｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）の材料として最適です。特にＭＣＬ−Ｅ−７０５Ｇシリーズは大型の半導体パッケージやビルドアップを多段に積上げる構造のものに適し、ＭＣＬ−Ｅ−８００Ｇシリーズは半導体チップの熱膨張変化へ追従することでチップのダメージを抑制し、小型で薄い半導体パッケージに適しています。最終製品としては、携帯電話やスマートフォン、情報デジタル機器などに加え、車載用など高温環境で使用される機器にも適しています。今後は、配線板メーカーや半導体メーカーへの製品紹介をさらに進め、２０１５年度に両シリーズ製品で年間１００億円の売上を目指します。

　なお、本製品は、６月１３日〜１５日まで東京ビッグサイトで開催される、ＪＰＣＡショー２０１２の日立化成ブースに出展する予定です。


＊１：Ｔｇとは、ガラス転移温度（Ｇｌａｓｓ　Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）のことで、高Ｔｇ材とは、ガラス転移温度の高い銅張積層板のことを指します。一般的には、Ｔｇが高いほど高温での樹脂の性質が安定しているため耐熱性に優れており、Ｔｇは銅張積層板では耐熱性を表す一般指標として使用されています。

＊２：熱膨張係数とは、基板に熱を加えた際の１℃あたりの膨張量を示す係数。単位はｐｐｍ／℃。


＊３：インターポーザ基板とは、半導体（ＩＣ）チップを直接搭載する基板で、はんだボールなどを介してマザーボードとの接続に用いられます。


以上