ＩＲジャパン、電力密度が高いＰＱＦＮパッケージ採用のパワーＭＯＳＦＥＴを８品種発売

インターナショナル・レクティファイアー
電力密度が高いＰＱＦＮパッケージを採用したパワーＭＯＳＦＥＴを８品種発売
〜　耐圧は２５Ｖと３０Ｖの２種、ＰＯＬ（負荷点）コンバータ向け　〜


　パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区）は２４日、耐圧が２５Ｖまたは３０ＶのＨＥＸＦＥＴ（Ｒ）パワーＭＯＳＦＥＴシリーズを８品種を発売しました。

※製品画像は添付の関連資料を参照

　面積３ｍｍ×３ｍｍの小型ＰＱＦＮパッケージに搭載した製品が３品種、面積５ｍｍ×６ｍｍのＰＱＦＮパッケージに搭載した製品が５品種です。通信／ネットワーク機器、高性能デスクトップ・コンピュータ、ノート・パソコンなどで使うＤＣ−ＤＣコンバータ（＊１）向けで、電力密度、信頼性、効率を高めたい用途に最適です。

　ＩＲ社の新しい３ｍｍ×３ｍｍの小型ＰＱＦＮパッケージは、製造技術を改良した結果、標準的な３ｍｍ×３ｍｍのＰＱＦＮパッケージに比べて、負荷への出力電流を最大６０％高めることができました。パッケージ全体の抵抗を非常に小さくしたので、オン抵抗（内部抵抗）を低減できました。オン抵抗の低減に加えて、熱伝導率を高め、信頼性を改善したので、産業用の品質を満足し、耐湿性レベルはＭＳＬ１です。この製造技術は、５ｍｍ×６ｍｍのＰＱＦＮパッケージにも採用し、標準的な５ｍｍ×６ｍｍのＰＱＦＮパッケージに比べて、出力電流を高められました。

　今回の８品種は、制御（コントロール）用ＭＯＳＦＥＴ向けに、スイッチング損失を低減するためにゲート抵抗を小さくした製品と、同期整流（シンクロナス）用ＭＯＳＦＥＴ向けに、ＦＥＴＫＹ（Ｒ）（モノリシックＭＯＳＦＥＴとショットキ・ダイオードを内蔵）構造にし、逆回復時間を短縮して効率の改善とＥＭＩ（電磁干渉）雑音特性の改善を図った製品があります。
　パッケージの高さは１ｍｍ以下で、標準的なピン配置です。既存の表面実装技術が使えます。欧州の規制ＲｏＨＳ（特定物質の使用規制）に準拠しています。
　１万個購入時の単価は、ＩＲＦＨＭ８３０Ｄ　の０．４３米ドルからの予定です（米国での参考価格）。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（http://www.irf-japan.com）から入手できます。


◆表　電力密度が高いＰＱＦＮパッケージに収めたパワーＭＯＳＦＥＴ（８品種）の概要
　※添付の関連資料を参照


＜用語説明＞
＊１）ＤＣ−ＤＣコンバータ：直流電圧を直流電圧に変換する回路です。例えば、パソコンやインターネット機器などの内部で基準とする電圧の１２Ｖを、ＡＳＩＣ（特定用途向けＩＣ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、メモリーなどのＩＣを動作させるためのさまざまな電圧、例えば５Ｖ、３．３Ｖ、１．７Ｖ、１．２Ｖなどの電圧に変換します。ＭＰＵなどの近くに配置して電力を供給するＤＣ−ＤＣコンバータをＰＯＬ（負荷点）コンバータと呼びます。ＤＣ−ＤＣコンバータの出力回路は一般に、制御（コントロール）用ＭＯＳＦＥＴと同期整流（シンクロナス）用ＭＯＳＦＥＴを組み合わせて使います。


＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ（Ｒ））社について＞
　ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、デジタルＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端パワー・マネジメント製品は、コンピュータの性能向上や、企業や家庭のさまざまな電気製品の省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにＩＲ社のパワー・マネジメント・ソリューションに頼っています。本社は米国のカリフォルニア州エルセグンド。ホームページはhttp://www.irf.comです。

注：ＩＲ（Ｒ）、ＨＥＸＦＥＴ（Ｒ）、ＦＥＴＫＹ（Ｒ）はＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。