富士電機、ＳｉＣデバイス搭載の産業用インバータを開発

国内初、次世代パワー半導体ＳｉＣ−ＳＢＤ搭載産業用インバータの開発について



　富士電機株式会社（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、次世代パワー半導体デバイスとして期待されるＳｉＣ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ）（※）を活用したＳｉＣ−ＳＢＤ（ＳｉＣ−Ｓｃｈｏｔｔｋｙ　Ｂａｒｒｉｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）を開発しておりますが、今回このＳｉＣデバイスを搭載した産業用インバータ「ＦＲＥＮＩＣ−ＭＥＧＡ　ＧＸ−ＳｉＣシリーズ」を開発しましたのでお知らせ致します。
　本製品は、ＳｉＣデバイスを搭載した産業用インバータとしては、国内初の製品となります。

　当社は、今後もＳｉＣデバイスを搭載した太陽光パワーコンディショナー、ＵＰＳの製品開発を進め、低炭素社会の実現に貢献していきます。

　※ＳｉＣ：
　　優れた物理的・化学的性質を持ち、従来のシリコン（Ｓｉ）を凌駕する小型・低損失の半導体デバイス。
　　これを電力変換部に採用することにより、大幅な損失低減を実現しています。


１．特長
　（１）大幅な低損失化の実現
　　　従来製品比損失２０％ダウン
　（２）大幅な効率改善（代表機種）効率９５％→９６％
　　　１１ｋＷのインバータで従来製品比１１０Ｗの省エネを実現


２．製品仕様概要
　定格電圧：３φ２００Ｖ、４００Ｖ

　出力　　　　外形寸法（Ｗ・Ｈ・Ｄ）　型式
　５．５ｋＷ　　２２０・２６０・１９５　　 ＦＲＮ５．５ＧＸ１Ｓ−２／４ＪＳＩ
　７．５ｋＷ　　２２０・２６０・１９５　　 ＦＲＮ７．５ＧＸ１Ｓ−２／４ＪＳＩ
　１１ｋＷ　　　２２０・２６０・１９５　　 ＦＲＮ１１ＧＸ１Ｓ−２／４ＪＳＩ

　＊表形式の「製品仕様概要」は添付の関連資料を参照


＊製品画像は添付の関連資料を参照


３．主な適用分野
　ＩＤＣや水処理施設などの常時運転している空調機やファンの制御


４．量産開始予定時期
　２０１２年９月



【お客様問合せ先】
　富士電機株式会社　パワエレ機器事業本部　ドライブ事業部　駆動企画部
　ｔｅｌ：０３−５４３５−７１８６



以上